Έλληνες ερευνητές της ΙΒΜ πέτυχαν νέο ρεκόρ αποθήκευσης στις μνήμες PCM

Ένα ακόμα βήμα πιο κοντά στη βελτίωση της επαναστατικής «μνήμης αλλαγής φάσης» (Phase-Change Memory – PCM), έκαναν Έλληνες ερευνητές από το ερευνητικό κέντρο της IBM Research στην Ελβετία. Συγκεκριμένα, οι ερευνητές κατάφεραν να αποθηκεύσουν τρία μπιτ δεδομένων ανά κύτταρο αποθήκευσης (bit per cell), έναντι ενός μπιτ που ήταν έως τώρα το ρεκόρ.

Η μνήμη PCM είναι ένα είδος μη-πτητικής μνήμης RAM, που εκμεταλλεύεται τις ιδιότητες της υάλου από χαλκογονίδια και η οποία φιλοδοξεί να αποτελέσει το αποθηκευτικό μέσο του μέλλοντος, επιτρέποντας ταχεία και εύκολη αποθήκευση και προσπέλαση δεδομένων σε κινητές συσκευές, στο Διαδίκτυο των Πραγμάτων κ.α.

Τα τελευταία χρόνια, η μνήμη τύπου PCM έχει προσελκύσει το διεθνές ενδιαφέρον χάρη στις μεγάλες δυνατότητές της. Για παράδειγμα, αντίθετα με την μνήμη DRAM, δεν χάνει δεδομένα όταν απενεργοποιείται, ενώ αντέχει τουλάχιστον δέκα εκατομμύρια κύκλους επανεγγραφής, έναντι μόνο 3.000 κύκλων ενός μέσου USF flash.

Οι ερευνητές, με επικεφαλής τον δρα Ευάγγελο Ελευθερίου, επικεφαλής του τμήματος τεχνολογιών αποθήκευσης της IBM Research στη Ζυρίχη, έκαναν τη σχετική ανακοίνωση σε διεθνή συνάντηση στο Παρίσι για τις νέες μνήμες. Στην ερευνητική ομάδα συμμετείχαν επίσης οι Χαλάραμπος Ποζίδης και Νικόλαος Παπανδρέου.

Η ΙΒΜ «ποντάρει» ιδιαίτερα στη μνήμη PCM, για την οποία οραματίζεται τόσο την αυτόνομη χρήση, όσο και την «υβριδική», δηλαδή σε συνδυασμό με μια μνήμη flash. Για παράδειγμα, το λειτουργικό σύστημα ενός «έξυπνου» κινητού τηλεφώνου θα μπορούσε να είναι αποθηκευμένο σε μνήμη PCM, ώστε η συσκευή να ξεκινά σε ελάχιστα δευτερόλεπτα.

Αλλά και σε μεγαλύτερη κλίμακα, ολόκληρες βάσεις δεδομένων επιχειρήσεων και οργανισμών θα μπορούσαν να αποθηκευθούν σε μνήμες PCM, επιτρέποντας την ταχύτερη αναζήτηση δεδομένων. Επίσης οι αλγόριθμοι μηχανικής μάθησης θα μπορούσαν να «τρέχουν» ταχύτερα χάρη στις εν λόγω μνήμες.

Οι ερευνητές της ΙΒΜ ανακοίνωσαν ότι για πρώτη φορά πέτυχαν να αποθηκεύσουν αξιόπιστα 3 bits per cell σε μια μνήμη PCM. Το πειραματικό «τσιπ» μνήμης PCM της ΙΒΜ συνδέεται με μια τυπική πλακέτα ολοκληρωμένου κυκλώματος.

Όπως δήλωσε ο Ποζίδης, «η μνήμη PCM αποτελεί την πρώτη ενσάρκωση μιας καθολικής μνήμης που έχει ιδιότητες τόσο της DRAM, όσο και της flash, δίνοντας έτσι λύση σε μια από τις μεγάλες προκλήσεις της βιομηχανίας μας. Η αποθήκευση 3 bits per cell συνιστά σημαντικό ορόσημο, επειδή με αυτή τη χωρητικότητα το κόστος της PCM θα είναι σημαντικά μικρότερο της DRAM και θα προσεγγίσει εκείνο της flash».

Ο Ε.Ελευθερίου αποφοίτησε από το Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών του Πανεπιστημίου Πατρών το 1979, πήρε το διδακτορικό του από το Πανεπιστήμιο Κάρλτον του Καναδά το 1985 και από το 1986 εργάζεται στην IBM Research. Έχει πάνω από 100 πατέντες στο ενεργητικό του και θεωρείται ένα από τα πιο εφευρετικά «μυαλά» της ΙΒΜ, έχοντας τιμηθεί με τις σχετικές διακρίσεις (IBM Fellow).

Ο Χ.Ποζίδης αποφοίτησε από το Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών του Πανεπιστημίου Πατρών το 1994 και πήρε το διδακτορικό του από το Πανεπιστήμιο Ντρέξελ των ΗΠΑ το 1998. Εργάζεται στην ΙΒΜ Research από το 2001, διευθύνοντας σήμερα την ομάδα συστημάτων μη-πτητικής μνήμης και έχοντας κατοχυρώσει πάνω από 55 πατέντες.

Ο Ν.Παπανδρέου αποφοίτησε επίσης από το Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών του Πανεπιστημίου Πατρών το 1998, από όπου και πήρε το διδακτορικό του το 2004, ενώ εργάζεται στην IBM Research από το 2008, με έμφαση στις μνήμες PCM. Για την πρωτότυπη επιστημονική εργασία στη διεύθυνση δείτε εδώ.